JANTX1N3890R

Mfr#	JANTX1N3890R
Mfr.	Microsemi
Kuvaus	DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
lomakkeissa	JANTX1N3890R.pdf
RoHs-tila	Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Lisää tietoa	Lisää tietoa MICROSEMI JANTX1N3890R: sta

Täytä kaikki vaadittavat kentät yhteystietosi. Napsauta "RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse. Tai lähetä meille sähköpostia: .

Kuvaus

Voimme toimittaa JANTX1N3890R: n, käyttää pyyntöä tarjouslomaketta pyytää JANTX1N3890R Pirce ja Lead Time.Instockin on ammattimainen elektroniset komponentit jakelija.7 miljoonan rivikohdan käytettävissä olevien sähköisten komponenttien kanssa voi lähettää lyhyen lyijyajan, yli 250 tuhatta osan elektroniikkakomponentteja varastossa välittömästi toimitukseen, mikä voi sisältää osan numeroa JANTX1N3890R. Hinta ja lyijyaika JANTX1N3890R: lle riippuen määrästäPakollinen, saatavuus ja varaston sijainti.Contact meille tänään ja myyntiedustajamme tarjoavat sinulle hinnan ja toimituksen osan # JANTX1N3890R. Odotamme innolla yhteistyötä kanssanne luoda pitkän aikavälin yhteistyösuhteita.

Pyydä tarjous

~~Varastossa:~~8431 pcs
~~Tilauksesta:~~0 pcs
~~minimi:~~1 pcs
~~Multiples:~~1 pcs
~~Tehtaan toimitusaika::~~Call

Käytä alla olevaa lomaketta tarjouspyynnön lähettämiseen

Tuoteparametri
Liittyvät tuotteet

Osa numero	JANTX1N3890R
Valmistaja	Microsemi
Kuvaus	DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
Lyijytön tila / RoHS-tila	Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä	8431 pcs
lomakkeissa	JANTX1N3890R.pdf
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos	1.5V @ 20A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Toimittaja Device Package	DO-203AA
Nopeus	Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja	Military, MIL-PRF-19500/304
Käänteinen Recovery Time (TRR)	200ns
Pakkaus	Bulk
Pakkaus / Case	DO-203AA, DO-4, Stud
Muut nimet	JANTX1N3890R-MIL Q7866719
Käyttölämpötila - liitäntä	-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi	Stud Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)	1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila	Contains lead / RoHS non-compliant
diodi Tyyppi	Standard
Yksityiskohtainen kuvaus	Diode Standard 100V 12A Stud Mount DO-203AA
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr	10µA @ 100V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)	12A
Kapasitanssi @ Vr, F	115pF @ 10V, 1MHz