JANTX1N3890A

Mfr#	JANTX1N3890A
Mfr.	Microsemi
Kuvaus	DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
lomakkeissa	JANTX1N3890A.pdf
RoHs-tila	Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Lisää tietoa	Lisää tietoa MICROSEMI JANTX1N3890A: sta

Täytä kaikki vaadittavat kentät yhteystietosi. Napsauta "RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse. Tai lähetä meille sähköpostia: .

Kuvaus

Voimme toimittaa JANTX1N3890A: n, käyttää pyyntöä tarjouslomaketta pyytää JANTX1N3890A Pirce ja Lead Time.Instockin on ammattimainen elektroniset komponentit jakelija.7 miljoonan rivikohdan käytettävissä olevien sähköisten komponenttien kanssa voi lähettää lyhyen lyijyajan, yli 250 tuhatta osan elektroniikkakomponentteja varastossa välittömästi toimitukseen, mikä voi sisältää osan numeroa JANTX1N3890A. Hinta ja lyijyaika JANTX1N3890A: lle riippuen määrästäPakollinen, saatavuus ja varaston sijainti.Contact meille tänään ja myyntiedustajamme tarjoavat sinulle hinnan ja toimituksen osan # JANTX1N3890A. Odotamme innolla yhteistyötä kanssanne luoda pitkän aikavälin yhteistyösuhteita.

Pyydä tarjous

~~Varastossa:~~757 pcs
~~Tilauksesta:~~0 pcs
~~minimi:~~1 pcs
~~Multiples:~~1 pcs
~~Tehtaan toimitusaika::~~Call

Käytä alla olevaa lomaketta tarjouspyynnön lähettämiseen

Tuoteparametri
Liittyvät tuotteet

Osa numero	JANTX1N3890A
Valmistaja	Microsemi
Kuvaus	DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
Lyijytön tila / RoHS-tila	Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä	757 pcs
lomakkeissa	JANTX1N3890A.pdf
Jännite - Peak Reverse (Max)	Standard
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos	12A
Jännite - Breakdown	DO-203AA (DO-4)
Sarja	Military, MIL-PRF-19500/304
RoHS-tila	Bulk
Käänteinen Recovery Time (TRR)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistance @ Jos F	-
Polarisaatio	DO-203AA, DO-4, Stud
Muut nimet	1086-15703 1086-15703-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä	200ns
Asennustyyppi	Chassis, Stud Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)	1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero	JANTX1N3890A
Laajennettu kuvaus	Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
diodikonfiguraatiolla	10µA @ 100V
Kuvaus	DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr	1.5V @ 20A
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode)	100V
Kapasitanssi @ Vr, F	-65°C ~ 175°C