JANTX1N3910A

Mfr#	JANTX1N3910A
Mfr.	Micro/sys
Kuvaus	DIODE GEN PURP 100V 50A DO203AB
lomakkeissa	JANTX1N3910A.pdf
RoHs-tila	Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Lisää tietoa	Lisää tietoa Microsemi Corporation JANTX1N3910A: sta

Täytä kaikki vaadittavat kentät yhteystietosi. Napsauta "RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse. Tai lähetä meille sähköpostia: .

Kuvaus

Voimme toimittaa JANTX1N3910A: n, käyttää pyyntöä tarjouslomaketta pyytää JANTX1N3910A Pirce ja Lead Time.Instockin on ammattimainen elektroniset komponentit jakelija.7 miljoonan rivikohdan käytettävissä olevien sähköisten komponenttien kanssa voi lähettää lyhyen lyijyajan, yli 250 tuhatta osan elektroniikkakomponentteja varastossa välittömästi toimitukseen, mikä voi sisältää osan numeroa JANTX1N3910A. Hinta ja lyijyaika JANTX1N3910A: lle riippuen määrästäPakollinen, saatavuus ja varaston sijainti.Contact meille tänään ja myyntiedustajamme tarjoavat sinulle hinnan ja toimituksen osan # JANTX1N3910A. Odotamme innolla yhteistyötä kanssanne luoda pitkän aikavälin yhteistyösuhteita.

Pyydä tarjous

~~Varastossa:~~5850 pcs
~~Tilauksesta:~~0 pcs
~~minimi:~~1 pcs
~~Multiples:~~1 pcs
~~Tehtaan toimitusaika::~~Call

Käytä alla olevaa lomaketta tarjouspyynnön lähettämiseen

Tuoteparametri
Liittyvät tuotteet

Osa numero	JANTX1N3910A
Valmistaja	Micro/sys
Kuvaus	DIODE GEN PURP 100V 50A DO203AB
Lyijytön tila / RoHS-tila	Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä	5850 pcs
lomakkeissa	JANTX1N3910A.pdf
Jännite - Peak Reverse (Max)	Standard
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos	50A
Jännite - Breakdown	DO-203AB (DO-5)
Sarja	Military, MIL-PRF-19500/308
RoHS-tila	Bulk
Käänteinen Recovery Time (TRR)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistance @ Jos F	-
Polarisaatio	DO-203AB, DO-5, Stud
Muut nimet	1086-15710 1086-15710-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä	200ns
Asennustyyppi	Chassis, Stud Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)	1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero	JANTX1N3910A
Laajennettu kuvaus	Diode Standard 100V 50A Chassis, Stud Mount DO-203AB (DO-5)
diodikonfiguraatiolla	15µA @ 100V
Kuvaus	DIODE GEN PURP 100V 50A DO203AB
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr	1.4V @ 50A
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode)	100V
Kapasitanssi @ Vr, F	-65°C ~ 150°C