JANTX1N3891

Mfr#	JANTX1N3891
Mfr.	Micro/sys
Kuvaus	DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
lomakkeissa	JANTX1N3891.pdf
RoHs-tila	Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Lisää tietoa	Lisää tietoa Microsemi Corporation JANTX1N3891: sta

Täytä kaikki vaadittavat kentät yhteystietosi. Napsauta "RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse. Tai lähetä meille sähköpostia: .

Kuvaus

Voimme toimittaa JANTX1N3891: n, käyttää pyyntöä tarjouslomaketta pyytää JANTX1N3891 Pirce ja Lead Time.Instockin on ammattimainen elektroniset komponentit jakelija.7 miljoonan rivikohdan käytettävissä olevien sähköisten komponenttien kanssa voi lähettää lyhyen lyijyajan, yli 250 tuhatta osan elektroniikkakomponentteja varastossa välittömästi toimitukseen, mikä voi sisältää osan numeroa JANTX1N3891. Hinta ja lyijyaika JANTX1N3891: lle riippuen määrästäPakollinen, saatavuus ja varaston sijainti.Contact meille tänään ja myyntiedustajamme tarjoavat sinulle hinnan ja toimituksen osan # JANTX1N3891. Odotamme innolla yhteistyötä kanssanne luoda pitkän aikavälin yhteistyösuhteita.

Pyydä tarjous

~~Varastossa:~~5720 pcs
~~Tilauksesta:~~0 pcs
~~minimi:~~1 pcs
~~Multiples:~~1 pcs
~~Tehtaan toimitusaika::~~Call

Käytä alla olevaa lomaketta tarjouspyynnön lähettämiseen

Tuoteparametri
Liittyvät tuotteet

Osa numero	JANTX1N3891
Valmistaja	Micro/sys
Kuvaus	DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Lyijytön tila / RoHS-tila	Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä	5720 pcs
lomakkeissa	JANTX1N3891.pdf
Jännite - Peak Reverse (Max)	Standard
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos	12A
Jännite - Breakdown	DO-203AA
Sarja	Military, MIL-PRF-19500/304
RoHS-tila	Bulk
Käänteinen Recovery Time (TRR)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistance @ Jos F	-
Polarisaatio	DO-203AA, DO-4, Stud
Muut nimet	1086-15305-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä	200ns
Asennustyyppi	Stud Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)	1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero	JANTX1N3891
Laajennettu kuvaus	Diode Standard 200V 12A Stud Mount DO-203AA
diodikonfiguraatiolla	10µA @ 200V
Kuvaus	DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr	1.5V @ 38A
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode)	200V
Kapasitanssi @ Vr, F	-65°C ~ 175°C