JANTX1N5811US

Mfr#	JANTX1N5811US
Mfr.	Microsemi
Kuvaus	DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
lomakkeissa	JANTX1N5811US.pdf
RoHs-tila	/ RoHS yhteensopiva
Lisää tietoa	Lisää tietoa MICROSEMI JANTX1N5811US: sta

Täytä kaikki vaadittavat kentät yhteystietosi. Napsauta "RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse. Tai lähetä meille sähköpostia: .

Kuvaus

Voimme toimittaa JANTX1N5811US: n, käyttää pyyntöä tarjouslomaketta pyytää JANTX1N5811US Pirce ja Lead Time.Instockin on ammattimainen elektroniset komponentit jakelija.7 miljoonan rivikohdan käytettävissä olevien sähköisten komponenttien kanssa voi lähettää lyhyen lyijyajan, yli 250 tuhatta osan elektroniikkakomponentteja varastossa välittömästi toimitukseen, mikä voi sisältää osan numeroa JANTX1N5811US. Hinta ja lyijyaika JANTX1N5811US: lle riippuen määrästäPakollinen, saatavuus ja varaston sijainti.Contact meille tänään ja myyntiedustajamme tarjoavat sinulle hinnan ja toimituksen osan # JANTX1N5811US. Odotamme innolla yhteistyötä kanssanne luoda pitkän aikavälin yhteistyösuhteita.

Pyydä tarjous

~~Varastossa:~~126002 pcs
~~Tilauksesta:~~0 pcs
~~minimi:~~1 pcs
~~Multiples:~~1 pcs
~~Tehtaan toimitusaika::~~Call

Käytä alla olevaa lomaketta tarjouspyynnön lähettämiseen

Tuoteparametri
Liittyvät tuotteet

Osa numero	JANTX1N5811US
Valmistaja	Microsemi
Kuvaus	DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Lyijytön tila / RoHS-tila	/ RoHS yhteensopiva
Saatavana oleva määrä	126002 pcs
lomakkeissa	JANTX1N5811US.pdf
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos	875mV @ 4A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Toimittaja Device Package	B, SQ-MELF
Nopeus	Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja	Military, MIL-PRF-19500/477
Käänteinen Recovery Time (TRR)	30ns
Pakkaus	Bulk
Pakkaus / Case	SQ-MELF, B
Muut nimet	1086-2485 1086-2485-MIL
Käyttölämpötila - liitäntä	-65°C ~ 175°C
Asennustyyppi	Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)	1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika	8 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila	Contains lead / RoHS non-compliant
diodi Tyyppi	Standard
Yksityiskohtainen kuvaus	Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr	5µA @ 150V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)	3A
Kapasitanssi @ Vr, F	60pF @ 10V, 1MHz